培訓
- 工藝規則DRC/LVS/RCX Runset開發培訓
- 網易云課堂：https://study.163.com/course/introduction/1212019833.htm?inLoc=ss_ssjg_qblb_Runset
- 背景：
- 培訓對象
- 培訓方式
- 學員培訓后效果
- 每節內容介紹
- 導論
- DRC Runset培訓1：
- DRC Runset培訓2：
- DRC Runset培訓3：
- DRC Runset培訓4：
- DRC Runset培訓5：
- DRC Runset培訓6：
- DRC Runset培訓7：
- DRC Runset培訓8：
- LVS Runset培訓1：
- LVS Runset培訓2：
- LVS Runset培訓3：
- RCX Runset培訓1：
- RCX Runset培訓2：
- RCX Runset培訓3：
- RCX Runset培訓4：
- RCX Runset培訓5：
- RCX Runset培訓6：
- DFM Runset培訓1：
- DFM Runset培訓2：
- DFM Runset培訓3：
- DFM Runset培訓4：
- Pcell QA培訓：
- Latch up Rule 培訓：
- DPW計算Wafer中可以放置多少個die：
目前，國內IC公司對Runset開發和QA有需求的公司主要分為2大類：第一類是Foundry內部的Runset團隊，需要招聘合適的工程師進行該項工作。第二類是Fabless設計公司，他們需要對Foundry提供的Runset進行局部修改或者優化，同樣需要招聘Runset工程師。
不過，在招聘過程中，用人單位感覺到要找到合適的Runset工程師并不容易，主要原因是：Runset開發是一個很窄的領域，在高校微電子專業中并不設置這類課程，高校剛畢業的學生很難有該領域的工作經驗。同時，在人才提供端，大部分微電子專業的學生更愿意從事IC設計工作，而不愿意從事Runset開發工作。
由于以上原因：國內Runset開發領域就出現了用人單位找不到合適的應聘人員、高校學生不原因從事該項工作的尷尬狀況，如何破解這個難題呢？
首先分析一下該領域對工程師人數的需求，目前中國大陸大約有20個左右的Foundry廠商，假設每個公司需要10名工程師，則累計需要200多名專職的工程師。除此之外，IC Fabless設計公司僅有少數公司有兼職工程師的需求，即該工程師不僅需要會Runset開發及QA，還要從事IC設計工作。這類公司數目大約有100個，假設每個公司需要1人，則累計也需要100人左右。2類公司合計總人數需求為300名左右。
從上述數據可以看到，在人才供給端，一個全國合計僅有幾百人需求的領域，任何高校都不會專門設置這樣一個專業來進行培訓。在人才需求端，用人單位的策略是：既然不能直接找到有經驗的工程師，就干脆找應屆畢業生，然后公司通過內部培訓來逐步提升工程師的水平。
看上去，這個策略也不錯。但是，用人單位內部培訓有一個問題：內部內容偏重于實用化操作，比較忽視理論和原理的培訓。這個問題在IC設計的其它領域并不突出，原因是：高校的微電子領域課程中有大量的理論和原理的學習，針對IC設計本身的原理，學生在學習期間已經掌握得很好了，到了工作崗位上，他重點是進行實用化工程和學習和應用。而在Runset領域，由于招聘的學生在該領域既沒有理論基礎，也沒有實踐經驗，他工作后要快速提高自己的水平有一定局限性。
為了解決上述問題，我們開發了一個專門針對Foundry新入職工程師的Runset培訓教材，對Foundry新入職工程師培訓。
通過上述培訓，達到如下目標：
1.用人單位新招聘的員工，可較快投入項目開發工作，減少內部培訓時間。
2.新招聘員工經過培訓后，理論和實踐水平較高，今后在解決公司技術難題，提升公司技術水平方面有較大潛力。
下面是視頻文件名：
1.可獲得相關疑問的解答。
2.獲得培訓中提到的演示用例，自己可以運行用例，加深學習效果。培訓方可以根據學員問題，提供對應的解答用例。
3.學員可根據具體問題，獲得更多與課程內容相關的word或者ppt文檔。
4.學員可獲得培訓中提到的培訓方自主開發的eda工具的license使用權，可根據學習進程和效果來決定license時間長短。
1.Foundry新入職的Runset開發工程師，或者fabless公司從事Runset開發和維護的新入職工程師。
2.高校應屆畢業生：微電子專業或者數學、物理、計算機、自動化等相關專業。本科與研究生均可。
3.準備從其它領域轉行從事IC職業的工程師
采用視頻錄播的方式。該課程除了錄播視頻外，還有對應的教材ppt，對應的演示用例，對應的QA eda工具配合使用，才能達到比較好的培訓效果。本培訓與其它培訓相比的最大優勢是：提供獨立自主開發的scout/barde/tuta等EDA工具供學員學習使用，幫助學員快速掌握所學知識。
本培訓共25次課程，每次半個小時。聽取課程后，建議學員課下根據?培訓方提供的用例，完成練習。只有通過練習才能有好的培訓效果。
做練習的軟硬件條件：
a.學員自己有linux系統
b.學員根據指導安裝培訓方自主開發的scout/barde/tuta工具，用戶自動驗證Runset
c.針對DRC培訓,學員要有主流的calibre工具（或者國產argus工具）可以運行.
d.針對LVS培訓,學員要有主流的virtuoso版圖工具可以運行.
通過上述練習,學員培訓后期望達到熟練完成DRC/LVS/RCX Runset開發的水平.
目前，國內IC公司對Runset開發和QA有需求的公司主要分為2大類：第一類是Foundry內部的Runset團隊，需要招聘合適的工程師進行該項工作。第二類是Fabless設計公司，他們需要對Foundry提供的Runset進行局部修改或者優化，同樣需要招聘Runset工程師.
不過，在招聘過程中，用人單位感覺到要找到合適的Runset工程師并不容易，主要原因是：Runset開發是一個很窄的領域，在高校微電子專業中并不設置這類課程，高校剛畢業的學生很難有該領域的工作經驗。同時，在人才提供端，大部分微電子專業的學生更愿意從事IC設計工作，而不愿意從事Runset開發工作.
由于以上原因：國內Runset開發領域就出現了用人單位找不到合適的應聘人員、高校學生不原因從事該項工作的尷尬狀況，如何破解這個難題呢？.
為了解決上述問題，我們開發了一個專門針對Foundry新入職工程師的Runset培訓教材，對Foundry新入職工程師培訓.
通過上述培訓，達到如下目標:
用人單位新招聘的員工，可較快投入項目開發工作，減少內部培訓時間.
新招聘員工經過培訓后，理論和實踐水平較高，今后在解決公司技術難題，提升公司技術水平方面有較大潛力.
用來描述工藝規則文件的Design Rule的具體形式是什么？如何把文字和圖示結合起來理解，它的顯示含義和隱含含義如何分析？
最小寬度檢查為什么默認需要寫Singular, Abut < 90的選項，如果不寫，會導致什么問題?
最大寬度檢查為什么不能直接寫“大于”號？它的常用三種檢查方法的優缺點是什么？
本課程提供了與培訓內容相對應的運行實例，學員可以聯系課程最后一頁的郵箱來下載用例。
最大間距檢查的“孫悟空跳不出如來佛掌心”是什么含義？為什么通過size step inside of layer可以實現該思路？
measure all的選項在哪些條件下使用？為什么nwell和deep nwell的間距檢查需要用到該選項？還有哪些檢查需要用到該選項？
復合層的距離檢查書寫需要有哪些注意事項？
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Enclosure檢查在哪些條件下需要寫outside also?
End of Line的Enclosure如何實現？
Extension和Enclosure有什么差別，為什么要定義2個不同的檢查單詞？Extension的露頭剛好等于0如何查錯？
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Flatten和hierarchical檢查有哪些不同？它的基本原理是什么？投影法和提升法的優缺點是什么？
Rectangle Enclosure的具體含義是什么？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
寬金屬檢查的基本思路是什么？如何通過xcal工具來分析復雜語句的layer依賴關系，如何快速讀懂復雜語句？
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Runlength spacing的含義是什么？ 如何實現該語句？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
LineEnd spacing的含義是什么？ 如何實現該語句？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
與連接性相關的檢查語句如何書寫？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
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密度檢查Density的全局檢查和局部檢查有何不同？如何實現該語句？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
天線檢查的具體含義是什么？漸進式連接的用途是什么？有無二極管的條件下，如何檢查規則是否滿足？ 如何實現該語句？如何自動構造test pattern來檢查該規則？
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復雜器件的DRC規則如何書寫？對應的test pattern如何自動構造？sample gds的圖形如何準備，可以自動變換device的每個圖形之間的距離嗎？
PVS與Calibre的語法有何不同？可以一一對應翻譯嗎？
針對先進工藝，離散點的檢查如何實現？double pattern的檢查如何實現？
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如何通過樹形結構圖查看DRC Code的layer依賴關系？
如何自動分析DRC Code的原始層是否與test pattern的原始層一致？
如何自動顯示DRC Code的每個中間層的計算結果？
Design rule如何描述LVS器件，如何理解其含義？
版圖中的連接關系是如何建立的？connect語句的屏蔽效應如何理解？ MIM結構中的Via如何通過屏蔽效應體現連接？
Mos管的識別層是什么含義？Pin層是什么含義？Property如何計算？
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Attach語句如何書寫，如何驗證其正確性？
Mos管的nrd, nrs, sa, sb, sc, sca, scb, scc等參數如何書寫？如何驗證這些參數是否準確？
如何通過前后仿真來驗證LVS runset的書寫正確性？
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自定義器件和內置器件有何不同，如何書寫自定義器件，如何驗證其正確性？
LAYER QA的含義是什么？為什么要驗證器件的識別層是否滿足了must layer和non layer的定義？如何通過自動工具驗證？
LVS 檢查中的ERC主要檢查哪些內容，如何自動檢查？
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寄生參數提取的三維和準三維基本原理是什么？為什么準三維的精度有誤差？
如何描述工藝的cross view的截面圖？
3種主流寄生參數提取工具的工藝描述格式介紹。
如何運行3種主流寄生參數提取工具？
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如何驗證寄生參數提取的Runset是否準確？
Beol的test pattern是什么結構？組合參數有哪些？精度如何比較？
Meol的test pattern包含了哪些器件？如何通過pcell自動生成這些pattern? 如何分析忽略內部電容和不忽略內容電容的結果？
如何通過自動化的軟件進行寄生參數精度分析？
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一個典型的模擬電路例子，通過不同的準三維工具和三維工具進行提取，誤差達到了30%，該如何分析這些誤差？
如何避免由于LVS layer的圖形overlap定義導致的寄生參數重復提取的問題？
Conformal結構描述犯錯的一個典型用例。
由于沒有忽略器件內部寄生電容導致結果不準確的典型用例。
5個corner中，RCbest, RCworst的具體含義。
先進工藝中11個corner中的CCworst, CCbest的具體含義。
本課程提供了與培訓內容相對應的運行實例，學員可以聯系課程最后一頁的郵箱來下載用例。
如何在版圖中直觀看到每個寄生參數線網的所有圖形？
如何通過圖形直接看到它對應的寄生參數？
如何分析版圖中距離比較近的圖形的預估耦合電容是否與提取結果吻合？
Vgds工具如何自動實現上述功能？如何使用該工具的上述功能？
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什么是3D IC， 什么是TSV? 晶圓堆疊的典型應用圖示。
主流工具在針對TSV寄生參數提取時的3個弱點，如何克服？
單個TSV的寄生電容如何考慮耗盡層導致的不同電壓下電容值不同？
多個TSV的寄生電容如何快速通過場求解器計算？
多個晶圓提取出的網表如何自動合并？什么是基于線網名的合并？什么是基于晶體管提取的坐標合并？二者應用背景是什么？
針對多個晶圓堆疊的典型計算案例分析。
三維堆疊寄生參數提取全流程總結，解決了主流EDA工具不能解決的弱點，實現了國產EDA工具自主可控。
RCX Runset驗證中為什么要引入RC simplify的概念？
RC Simplify針對寄生電阻短路，寄生電容開路的方法。
圖形化工具plumb運行的方法和檢查結果分析。
DFM命令的用途是什么？為什么引入DFM命令，它與普通命令的不同在哪里？
DFM Property命令的語法及基本含義，單層命令和雙層命令的不同在哪里？
DFM命令常用的測量函數有哪些？
EC和EW的函數用法是什么？
NETID函數的用法是什么？
NETPROPERTY函數的用法是什么？
DFM Stamp的用法是什么？
DFM Space與普通的INT/EXT/ENC檢查有哪些不同？
DFM的ECMAX的用法是什么？
如何利用DFM命令查中心線對齊的檢查？
如何利用DFM命令計算有源區的累加面積？
DFM Space與普通的INT/EXT/ENC檢查有哪些不同？
DFM的ECMAX的用法是什么？
如何利用DFM命令查中心線對齊的檢查？
如何利用DFM命令計算有源區的累加面積？
Pcell的驗證主要檢查哪些內容？
如何自動獲得pcell的cdf參數的最大值和最小值？
如何進行Full Parameter的檢查?
如何進行Connectivity的檢查？
如何進行Layer QA的檢查？
如何進行Simulation QA的檢查？
常見的Latch up Rule的幾何結構。
阻擋檢查或者隔離檢查為什么比較難以書寫Runset?
為什么需要引入Find Closest Region的命令來書寫阻擋檢查？
正對的阻擋和斜對阻擋分別如何檢查？
如何實現Latch up Rule的完整檢查？
Wafer中計算die個數的參數有哪些？
如何模擬foundry的工藝加工參數得到die個數?
DPW工具的基本功能有哪些？
采用擬合方法計算案例分析。